通态电流Is可用下式表示：Is=(+Bpnp)Ims式中Ims——流过MOSFET的电流。
igbt工作特点动态特性动态特性又称开关特性，igbt的开关特性分为两大部分：一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间；另一个是开关过程中的损耗。 IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。
igbt处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。 尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET的电流成为igbt总电流的主要部分。 此时，通态电压Us(n)可用下式表示：：Us(n)=Uj+Ur+IRh式中Uj——JI结的正向电压，其值为～V；Ur——扩展电阻Rr上的压降；Rh——沟道电阻。
